Май 11th, 2024 
raven000 Эксперты Центра общественного использования Столичного физико-технического факультета (МФТИ) рекомендовали свежую технологию, которая в будущем вполне может быть использована при производстве памяти ReRAM.
Напоминаем, что ReRAM (либо RRAM) — это резистивная память с случайным доступом. Изделия этого вида обеспечивают быстродействие, сравнимое с DRAM, однако при этом могут держать информацию в неимении питания, другими словами считаются энергонезависимыми. Если ассоциировать с флеш-памятью NAND, то чипсеты ReRAM оказываются значительно стремительней и используют меньше энергии в серьезном режиме.
Механизм работы ReRAM состоит в изменении противодействия ячеи памяти под действием вложенного усилия. За счёт этого повышенное и невысокое противодействия ячеи могут быть применены для сохранения информации.
Активной базой ReRAM-ячейки считается конструкция металл-диэлектрик-металл. В роли диэлектрического пласта используются оксиды переходных металлов (HfO2, Ta2O6). Тогда вложенное к ячее усилие ведет к миграции воздуха, что вызывает изменение противодействия всей конструкции. Так что, регулирование концентрацией воздуха в оксиде считается самым важным параметром, который устанавливает активные качества ячей памяти.
Центр общественного использования МФТИ
Но на деле память ReRAM пока не в состоянии выгнать обширно распространённую NAND-флеш. Одна из причин состоит в том, что для изготовления флеш-памяти применяют трёхмерные массивы ячей. В то же самое время способы образования плёнок с недостатком воздуха, применяемые для ReRAM, не подходят для нанесения многофункциональных слоёв на трёхмерные конструкции.
Отечественные учёные могут предложить решить дилемму за счёт способа атомно-слоевого осаждения — нанесения узких плёнок, предопределенного протеканием синтетических реакций на плоскости примера. Ученые обучились распоряжаться концентрацией воздуха в плёнках оксида тантала, производимых за счет представленного способа. Детальнее о работе вы можете узнать тут.
Опубликовано в рубрике 
