Ученые из Томского федерального института (ТГУ) первыми в РФ начали отращивать полупроводники из естественных молекул в газовой фазе.
Ключевая технологическая неприятность изготовления механизмов на базе естественных полупроводников, сделанных классическими способами напыления, состоит в том, что они владеют невысокой проводимостью, так как некоторые молекулы слабо ведут взаимодействие между собой. Решить дилемму можно с помощью молекулярной эпитаксии — способа послойного нанесения, обеспечивающий синтетическое соединение молекул и этим самым повышает автотранспорт зарядов.
Для разведения полупроводников в газовой фазе эксперты ТГУ используют особую установку, позволяющую формировать супертонкие плёнки, длина которых в 5000 раз меньше нашего волоса. В итоге самосборки молекул выходят полупроводниковые конструкции, которые обеспечивают высокое быстродействие механизмов при самых малых издержках энергии.
«Реакция самосборки молекул ведется в газовой фазе. Это значительно увеличивает выбор элементов для изготовления полупроводников, так как улетучить можно любое низкомолекулярное вещество. На разведение одного монослоя уходит 15–30 секунд. Из них, как из кирпичиков, можно проектировать полупроводники любой категории сложности», — говорит доктор Владимир Буртман.
Новая система дает возможность создавать весьма крепкие связи между молекулами, что существенно продлит жизнь технологической аппаратуры. Для изготовления естественных полупроводников незачем чересчур повышенные температуры — довольно 300–400 C Цельсия, что по меньшей мере вдвое ниже, чем при функционировании с эклектическими полупроводниками.
На основе приобретенных полупроводниковых строений можно проектировать аппараты молекулярной наноэлектроники, которые доведут к возникновению механизмов следующего поколения.