Dveri-Laminirovannye.ru

В четверг организация «Самсунг» Электроникс провела пресс-конференцию, в процессе которой сообщила о проектах по изучению свежих технических действий. Подчеркнём, что это не некоторые слухи и утечки, но вполне аргументированная «дорожная карта». Практически руководство к действию. Основным для нас и для области стало известие, что рисковое изготовление с общепризнанными мерками 4 hm организация «Самсунг» планирует начать в 2020 году.

wsj.com

Для производства 4-нм решений будет применяться EUV-проекция с шириной волны 13,5 hm. На данный момент организация действует с опытными EUV-сканерами, и она удостоверилась, что квалифицированное оснащение вполне управляется с перегрузкой в качестве 1000 300-мм пластинок (подложек) в день. Для правомерного платного изготовления требуется мощность 1500 пластинок в день, что будет осуществимо после возникновения сканеров с излучателями производительностью 250 Вт. В компании убеждены, что данная неприятность определится в ближайшее время. Этим самым «Самсунг» заявляет, что в изготовлении она начнёт применять EUV-сканеры в 2018 году для глобального производства чипов с применением 2-го поколения 7-нм техпроцесса (LPP). Она будет первой во всем мире организацией, которая перейдёт на EUV-литографию.

Виды архитектуры затворов и телеканалов транзисторов (ASML)

Надо сказать, что для 4-нм техпроцесса транзисторы поменяют собственную архитектуру. Это будет, как воплотились в «Самсунг», архитектура «post FinFET». Сегодня канал FinFET транзистора под затвором представляет из себя цельную отвесную систему «плавник» либо имеет несколько рёбер для увеличения значения пропускаемого через триод тока. В будущем канал будет со всех боков окружён затвором — это так именуемая конструкция gate-all-around FET (GAAFET). В такой конструкции телеканалы сделаны как нанопровода либо наностраницы. Транзисторы «Самсунг» со стартом производства 4-нм решений будут применять одну из модификаций телеканалов в качестве наностраниц. В компании называют это транзисторами multi-bridge channel FET (MBCFET) либо отвесная конструкция со многими перемычками.

Телеканалы транзисторов обратятся в «перемычки» из нанопроводов и наностраниц (изображение IBM)

До 2020 года организация поочередно изучит процесс с общепризнанными мерками 8 hm (LPP), что произойдёт в 2016 году, и процесс с общепризнанными мерками 7 hm (LPP), о котором выше произнесено. Следующими техпроцессами будут 6-нм и 5-нм техпроцессы LPP. Процесс с общепризнанными мерками 6 hm организация рассчитывает ввести в изготовление в 2019 году. При всём при этом «Самсунг» убеждена, что 10-нм процесс будет «решением на года» и будет очень многие годы самым распространенным среди создателей техпроцессом.

Вице-президент полупроводникового бизнеса «Самсунг» Ким Ки-нам (Kim Ki-nam) (Фото EE Times)

В конце концов, организация доказала желание начать в 2019 году выпуск полупроводников с общепризнанными мерками 18 hm на пластинках FD-SOI. Вчера на пластинках с изолятором из целиком обеднённого кремния организация производит 28-нм чипсеты. Переход с этого техпроцесса на 18-нм гарантирует на 40 % понизить употребление решений и на 20 % повысить мощность, мимоходом сэкономив на площади кристалла.