Организация SK Hynix с запозданием на год обнародовала ассортимент продукции на 2-й квартал 2017 года, наметив проекты по производству микросхем памяти вида GDDR6 и открыв их всеобщие технологические характеристики и сроки доступности. Также, организация добавила в ассортимент не менее мощные чипсеты GDDR5 со скоростями передачи данных до 10 Гтрансферов/с, но убрала из перечня приготовляющихся товаров наиболее мгновенные накопленные модели вида HBM2.
SK Hynix официально сообщила о проектах по производству памяти GDDR6 в середине мая, потому прибавление аналогичных микросхем в информационную базу компании не стало нежданностью. Первые устройства GDDR6 изготовления SK Hynix будут иметь ёмкость 8 Гбит (1 Гигабайт), усилие питания 1,35 В и сохранять скорости передачи данных 12 и 14 Гтрансферов/с. Изготовитель гарантирует, что они будут предлагаться для заказчиков приблизительно в четвёртом месяце 2017 года. Свежие микросхемы памяти будут иметь двухканальную организацию 256М × 32, что может показывать на то, что чипсеты GDDR6 продолжат применять 32-разрядный физический внешний вид, однако заключительный будет работать как 2 свободных 16-разрядных внешнего вида, что повысит результативность применение покрышки (тем не менее, на этом раунде это некоторые слухи). Что же касается физического форм-фактора, то устройства GDDR6 будут применять 180-контактную обертку вида FCBGA, поэтому не будут поконтактно совместными с дополнениями, использующими GDDR5 и GDDR5X, использующие каркаса с 170 и 190 контактами как следствие.
Специфики выходных в скором времени микросхем SK Hynix вида GDDR5 и GDDR6 |
|||||||
Артикул | Вид | Ёмкость | Скорость передачи данных | Пропускная дееспособность микросхемы | Усилие питания | Обертка | Время доступности |
H56C8H24MJR-S2C | GDDR6 | 8 Гбит | 14 Гтрансферов/с | 56 Гигабайт/с | 1,35 В | 180-контактов, FBGA | Q4 2017 |
H56C8H24MJR-S0C | 12 Гтрансферов/с | 48 Гигабайт/с | |||||
H5GQ8H24AJR-R8C | GDDR5 | 10 Гтрансферов/с | 40 Гигабайт/с | 1,55 В | 170-контактов, FBGA | ||
H5GQ8H24AJR-R6C | 9 Гтрансферов/с | 36 Гигабайт/с | |||||
H5GC8H24AJR-R2C | 8 Гтрансферов/с | 32 Гигабайт/с | 1,5 В | ||||
7 Гтрансферов/с | 28 Гигабайт/с | 1,35 В | |||||
H5GC8H24AJR-R0C | 7 Гтрансферов/с | 28 Гигабайт/с | 1,5 В | ||||
6 Гтрансферов/с | 24 Гигабайт/с | 1,35 В |
В обозримые месяцы JEDEC должна закончить подготовку и разместить последние специфики GDDR6, тогда мы выясним все характеристики нового вида памяти. Из размещенной информации SK Hynix мы знаем, что предельная скорость передачи данных GDDR6 составляет 16 Гтрансферов/с, что намекает на ориентировочную подборку (prefetch) 16 n и не менее большие стандартные тактовые частоты. Также известно, что одна из первых графических карт на основе GDDR6 будет иметь 384-разрядную подсистему памяти, если допустить, что скорость внешнего вида составит 14 Гтрансферов/с, то адаптер будет владеть пропускной возможностью памяти в 672 Гигабайт/с. Тем не менее, стоит подразумевать, что создатели GPU и изготовители графических карт достаточно консервативны в отношении частот памяти, потому пропускная дееспособность перечисленного адаптера вполне может быть ниже, исходя из исхода пригодных GPU, памяти и самих карт.
Кроме памяти GDDR6, в четвёртом месяце SK Hynix также выпустит 8-Гбит микросхемы GDDR5 со скоростью передачи данных в 9 и 10 Гтрансферов/с при усилии питания 1,55 В. Свежие устройства будут нацелены на графические решения для глобального рынка, которым требуется большая пропускная дееспособность, и финансовая результативность GDDR5. В добавление к сверхбыстрым микросхемам GDDR5, SK Hynix также предложит свежие чипсеты со скоростями передачи данных в 7 и 8 Гтрансферов/с с сниженными усилиями питания. Само подключение свежих микросхем в многообещающий план SK Hynix показывает на то, что GDDR5 останется на рынке ещё по меньшей мере на несколько лет, отметив в 2016 году столетие на рынке.
Любопытно обозначить, что если микросхемы GDDR5 стали стремительней, то HBM2 — напротив, медленнее. Так, ещё в I квартале SK Hynix убрала любые упоминания о памяти HBM2 со скоростью передачи данных 2 Гтрансфера/с. В настоящее время SK Hynix предлагает одну одну модель HBM2 — 4-Гбайт модули со скоростью передачи данных 1,6 Гтрансферов/с. Причины, по которым не менее мгновенные микросхемы памяти были наряжены из ассортимента, достоверно не известны, однако разумно допустить, что многочисленное изготовление очень трудных механизмов памяти HBM2 с 512-разрядным внешним видом и большими тактовыми частотами считается сложной задачей. По всей видимости, SK Hynix испытывает определённые проблемы с производством таких производств из-за низкого исхода пригодных и/либо повышенных температур HBM2 на высоких частотах.
Специфики выходных в скором времени микросхем SK Hynix вида HBM2 |
|||||||
Артикул | Вид | Ёмкость | Скорость передачи данных | Пропускная дееспособность микросхемы | Усилие питания | Обертка | Время доступности |
H5VR32ESM4H-12C | HBM2 | 4 Гигабайт | 1,6 Гтрансферов/с | 204 Гигабайт/с | 1,2 В | 4Hi Stack | Q2 2017 |
Следовательно, для выходной в скором времени карты AMD Radeon RX Vega, SK сумеет посоветовать только микросхемы HBM2 со скоростью передачи данных 1,6 Гтрансферов/с и пропускной возможностью 204,8 Гигабайт/с.