По мнению специалистов подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, многочисленной памятью для телефонов в 2016 году будет новая модификация мобильной памяти LPDDR4X. Это особенно изумительно, что первые групповые партии памяти LPDDR4X начали возникать лишь около 6 месяцев назад. Фактически, микропроцессоры, которые сохраняют LPDDR4X, в настоящее время можно перечесть по пальцам одной руки — это Qualcomm Snapdragon 835 и 660 и MediaTek P20 и P30. Все-таки, во 2-м квартале память LPDDR4X обойдёт память LPDDR4 по итоговой ёмкости всех снова производимых микросхем мобильной памяти (в пересчёте на биты).
Память LPDDR4X различается от памяти LPDDR4 только в одном — усилие питания покрышки (VDDQ) LPDDR4X составляет 0,6 В, а не 1,1 В, как у памяти LPDDR4. За счёт этого система памяти LPDDR4X употребляет на 10–20 % меньше, чем система памяти LPDDR4. Что из себя представляет передовые телефоны и какие у них внутри батареи, слышали все. Даже особые 10 % экономии позволят незначительно продлить независимую работу механизмов. Кроме того сегодня память LPDDR4 и LPDDR4X применяется не только лишь в телефонах, но и в сверхтонких компьютерах, в вещах с включением к Сети-интернет, в авто электронике и в другой продукции, где бережливость употребления является одним из самых важных моментов.
Вопрос расценки, к слову, можно назвать маловажным. Себестоимость микросхем LPDDR4X подошла к себестоимости микросхем LPDDR4 и всего на 5 % примерно больше, чем себестоимость памяти LPDDR3. Это улучшает создателей мобильных платформ стремительней переходить на не менее мощную память LPDDR4/LPDDR4X и энергичнее заниматься адаптацией памяти LPDDR4X, прибавляя при проходе с LPDDR3 не только лишь рост скорости передачи данных, но и повышая энергоэффективность подсистем памяти. В общем, в 2016 году часть памяти LPDDR4/LPDDR4X на рынке превзойдет долю памяти LPDDR3.
Руководителями изготовления микросхем LPDDR4X являются компании «Самсунг» и SK Hynix. Организация «Самсунг» начала глобальный выпуск новой памяти первой в четвёртом месяце 2016 года (с применением 18-нм технических общепризнанных мерок), однако SK Hynix отметилась в феврале стартом изготовления наиболее ёмких микросхем LPDDR4X — объёбог 8 Гигабайт с применением 21-нм техпроцесса. Также в I квартале глобальный выпуск 20-нм микросхем LPDDR4X начала организация Micron. Все 3 компании-производителя рассчитывают начать во 2-м квартале изготовление многокорпусных упаковок eMCP с применением кристаллов LPDDR4X. Это значит также, что кристаллы LPDDR4X позднее будет можно повстречать в составе SoC в качестве интегрированных модулей памяти.