Dveri-Laminirovannye.ru

По мнению специалистов подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, многочисленной памятью для телефонов в 2016 году будет новая модификация мобильной памяти LPDDR4X. Это особенно изумительно, что первые групповые партии памяти LPDDR4X начали возникать лишь около 6 месяцев назад. Фактически, микропроцессоры, которые сохраняют LPDDR4X, в настоящее время можно перечесть по пальцам одной руки — это Qualcomm Snapdragon 835 и 660 и MediaTek P20 и P30. Все-таки, во 2-м квартале память LPDDR4X обойдёт память LPDDR4 по итоговой ёмкости всех снова производимых микросхем мобильной памяти (в пересчёте на биты).

Динамика рыночного распространения видов мобильной памяти (DRAMeXchange)

Память LPDDR4X различается от памяти LPDDR4 только в одном — усилие питания покрышки (VDDQ) LPDDR4X составляет 0,6 В, а не 1,1 В, как у памяти LPDDR4. За счёт этого система памяти LPDDR4X употребляет на 10–20 % меньше, чем система памяти LPDDR4. Что из себя представляет передовые телефоны и какие у них внутри батареи, слышали все. Даже особые 10 % экономии позволят незначительно продлить независимую работу механизмов. Кроме того сегодня память LPDDR4 и LPDDR4X применяется не только лишь в телефонах, но и в сверхтонких компьютерах, в вещах с включением к Сети-интернет, в авто электронике и в другой продукции, где бережливость употребления является одним из самых важных моментов.

Главные превосходства LPDDR4X перед LPDDR4

Вопрос расценки, к слову, можно назвать маловажным. Себестоимость микросхем LPDDR4X подошла к себестоимости микросхем LPDDR4 и всего на 5 % примерно больше, чем себестоимость памяти LPDDR3. Это улучшает создателей мобильных платформ стремительней переходить на не менее мощную память LPDDR4/LPDDR4X и энергичнее заниматься адаптацией памяти LPDDR4X, прибавляя при проходе с LPDDR3 не только лишь рост скорости передачи данных, но и повышая энергоэффективность подсистем памяти. В общем, в 2016 году часть памяти LPDDR4/LPDDR4X на рынке превзойдет долю памяти LPDDR3.

Микросхемы SK Hynix LPDDR4X

Руководителями изготовления микросхем LPDDR4X являются компании «Самсунг» и SK Hynix. Организация «Самсунг» начала глобальный выпуск новой памяти первой в четвёртом месяце 2016 года (с применением 18-нм технических общепризнанных мерок), однако SK Hynix отметилась в феврале стартом изготовления наиболее ёмких микросхем LPDDR4X — объёбог 8 Гигабайт с применением 21-нм техпроцесса. Также в I квартале глобальный выпуск 20-нм микросхем LPDDR4X начала организация Micron. Все 3 компании-производителя рассчитывают начать во 2-м квартале изготовление многокорпусных упаковок eMCP с применением кристаллов LPDDR4X. Это значит также, что кристаллы LPDDR4X позднее будет можно повстречать в составе SoC в качестве интегрированных модулей памяти.