В процессе еще одного визита на Тайбэй главы компании Yangtze Memory Технолоджис Чарльза Кау (Chuck Kau) было объявлено, что 64-слойная флеш-память 3D NAND будет готова для изготовления в КНР в 2019 году. Эталоны 32-слойной 3D NAND японский изготовитель начнёт доставлять в середине 2016 года. Многочисленное изготовление 32-слойной 3D NAND, по всей видимости, стартует в 2018 году. Если Yangtze Memory Технолоджис реализует всё рассчитанное, к 2020 году японский изготовитель по технологичности производства флеш-памяти будет опаздывать от лидера области — компании «Самсунг» — всего на 2 года.
Представитель японского бизнеса по производству памяти не напрасно выступил с данным утверждением на Тайване. Тайваньские изготовители памяти (DRAM и NAND) не располагают своими подготовками в сфере производства чипов. Они приобретали технологии в размен на гарантированные поставки микросхем памяти донорам технологий. В различное время это были Elpida, Infineon, Qimonda и Micron. В настоящее время китайцы могут предложить тайваньским изготовителям положить фундамент грядущей самостоятельности и вместе сделать соглашение патентов, который бы разрешил производить память не смотря ни на что на соперников из Северной Кореи, Японии либо США.
Вполне прогнозируемо, что объявленные выше проекты сталкиваются с противодействием со стороны лидеров области. Так, в апреле стало известно, что организация Micron собственными действиями привела к приостановке подготовки технологии памяти в лабораториях тайваньской компании UMC. В компании UMC команда инженеров из КНР и региональные эксперты проектировали технологию изготовления памяти DRAM для старта на общем заводе в Китае.
Также Micron упрекнула ряд собственных прежних инженеров среди тайваньского штата в воровстве технологий. Как заявил на это Чарльза Кау, его организация ищет дарования, а не экспертов по индустриальному шпионажу. Потому от принятых на работу прежних работников отделений компании Micron требуется опыт работы, а не секретные бумаги либо тайны.